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GLASS-STEAGALL: SEPARARE LE BANCHE, SALVARE LA GENTE DAGLI SQUALI DELLA FINANZA

ESM. Tagliamo i trattati europei, non lo stato sociale.

InGlass-Steagall su aprile 16, 2012 a 6:12 PM

No alla ratifica dell’ESM, il trattato che cancellerebbe la democrazia.

In questi giorni il Parlamento italiano sarà chiamato a ratificare il nuovo trattato intergovernativo europeo, ilMeccanismo di Stabilità Europea (ESM), che comporterà tagli draconiani e l’imposizione di condizioni degne delle repubbliche delle banane.

Attraverso metodi non-democratici i funzionari degli organismi finanziari potranno imporre misure che metteranno a rischio la sopravvivenza dell’economia e dei cittadini.

Come ha spiegato anche Lidia Undiemi nell’appello che ha circolato largamente sulla rete nelle ultime settimane – lo trovate a questo link sul Wall Street Italia – in realtà ai Parlamenti nazionali sarà chiesto di modificare l’art. 136 del Trattato sul funzionamento dell’Unione Europea, per approvare indirettamente l’ESM.

Lidia Undiemi

Ci sarà un dibattito pubblico?
I politici hanno discusso con la popolazione la bontà di questo accordo nei mesi scorsi?

La risposta è NO.
Come per tutte le altre misure decise a livello europeo negli ultimi anni.

Al solito, l’establishment sovranazionale si accorda su come salvare il sistema finanziario attuale, in fase di crollo da qualche anno, poi ordina agli stati di approvare.

I risultati potranno essere catastrofici: l’Italia sarebbe obbligata a ridurre il debito pubblico alla soglia del 60% del PIL entro vent’anni.

Tradotto: tagli di 45 miliardi di euro circa all’anno per i prossimi 20 anni.

Che fine farà lo stato sociale?
Che conseguenze ci sarebbero per sanità, istruzione, ma anche strade e tutti i servizi locali?

Già con la politica del Governo Monti l’economia va verso la caduta libera, con la ratifica dell’ESM i conti pubblici potranno soltanto peggiorare man mano che le attività produttive soccomberanno alla crisi.

La Grecia è vicina, e con l’ESM si sancirebbe la possibilità per i burocrati sovranazionali di intervenire direttamente nella politica nazionale con impunità e senza appello.

La tematica ha già fatto tanto scalpore sulla rete, ma ora i tempi stringono.

Chiediamo Glass-Steagall contro il Governo delle Banche.

Occorre passare ad una seconda fase, parlarne in ogni sede e organizzare una mobilitazione popolare, stoppiamo l’ESM, per prima cosa.

Facciamone una campagna di comunicazione forte, incisiva.

Da adesso in avanti NOBIGBANKS(siamo presenti su Facebook e suTwitter) passa alla fase due, per allargare la conoscenza della separazione bancaria e arrivare alla popolazione.

Vi invitiamo a usare per Twitter gli hashtag #separazionebancaria e #nobigbanks.

Teniamo sempre dritta la barra: “Salviamo la Gente, Riformiamo la finanza”.

Difendiamoci dalle minacce per la salute pubblica come l’EMS.

Ma ricordiamoci sempre che per costruire l’alternativa alla folle politica di austerità il primo passo è Glass-Steagall.

Frattanto, continua la campagna di raccolta firme per Glass-Steagall, vi invitiamo a diffonderla e socializzarla tra i vostri contatti: http://www.firmiamo.it/nobigbanks
 

Questi alcuni commenti dei firmatari:

Firmo x un sistema più equo, basta speculazione. Le banche tornino a fare quello che facevano in origine. Elena P.

grazie per questa petizione, la separazione bancaria è l’unico vero modo per uscire dall’attuale crisi finanziaria e ricominciare ad essere liberi. Ferdinando C.

Firmo e invito a firmare. Perché è giusto. Marilena F.

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RFP25N06, RF1S25N06, RF1S25N06SM Data Sheet January 2002 25A, 60V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs These N-Channel power MOSFETs are manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. They were designed for use in applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, and relay drivers. These transistors can be operated directly from integrated circuits. Formerly developmental type TA09771. Features • 25A, 60V • rDS(ON) = 0.047Ω • Temperature Compensating PSPICE® Model • Peak Current vs Pulse Width Curve • UIS Rating Curve • 175oC Operating Temperature • Related Literature - TB334, “Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards” Ordering Information PART NUMBER RFP25N06 RF1S25N06 RF1S25N06SM PACKAGE TO-220AB TO-262AA TO-263AB BRAND RFP25N06 F1S25N06 F1S25N06 Symbol D G NOTE: When ordering use the entire part number. Add the suffix, 9A, to obtain the TO-263AB variant in tape and reel, e.g. RF1S25N06SM9A. S Packaging JEDEC TO- 220AB SOURCE DRAIN GATE GATE SOURCE DRAIN (FLANGE) JEDEC TO-263AB DRAIN (FLANGE) JEDEC TO-262AA SOURCE DRAIN GATE DRAIN (FLANGE) ©2002 Fairchild Semiconductor Corporation RFP25N06, RF1S25N06, RF1S25N06SM Rev. C RFP25N06, RF1S25N06, RF1S25N06SMS Absolute Maximum Ratings TC = 25oC, Unless Otherwise Specified Drain to Source Voltage (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . VDSS Drain to Gate Voltage (RGS = 20kΩ) (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . VDGR Gate to Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . VGS Continuous Drain Current (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .ID Pulsed Drain Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . IDM Single Pulse Avalanche Rating . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . EAS Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . PD Linear Derating Factor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Operating and Storage Junction Temperature Range . . . . . . . . . . . . . . . . . . TJ, TSTG Maximum Temperature for Soldering Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . TL Package Body for 10s, See Techbrief 334 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .Tpkg RFP25N06, RF1S25N06, RF1S25N06SM 60 60 ±20 25 (Figure 5) (Figure 6) 72 0.48 -55 to 175 300 260 UNITS V V V A W W/oC oC oC oC CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied. NOTE: 1. TJ = 25oC to 150oC. Electrical Specifications PARAMETER TC = 25oC, Unless Otherwise Specified SYMBOL BVDSS VGS(TH) IDSS TEST CONDITIONS ID = 250µA, VGS = 0V (Figure 11) VGS = VDS, ID = 250µA (Figure 10) VDS = 60V VGS = 0V TC = 25oC TC = 150oC MIN 60 2 VGS = 0 to 20V VGS = 0 to 10V VGS = 0 to 2V VDD = 48V, ID = 25A, RL = 1.92Ω Ig(REF) = 0.75mA (Figure 13) (Figure 3) TYP 14 30 45 22 975 330 95 MAX 4 1 50 ±100 0.047 60 100 80 45 3 2.083 62 UNITS V V µA µA nA Ω ns ns ns ns ns ns nC nC nC pF pF pF oC/W oC/W Drain to Source Breakdown Voltage Gate to Source Threshold Voltage Zero Gate Voltage Drain Current Gate to Source Leakage Current Drain to Source On Resistance Turn-On Time Turn-On Delay Time Rise Time Turn-Off Delay Time Fall Time Turn-Off Time Total Gate Charge Gate Charge at 10V Threshold Gate Charge Input Capacitance Output Capacitance Reverse Transfer Capacitance Thermal Resistance Junction to Case Thermal Resistance Junction to Ambient IGSS rDS(ON) tON td(ON) tr td(OFF) tf tOFF Qg(TOT) Qg(10) Qg(TH) CISS COSS CRSS RθJC RθJA VGS = ±20V ID = 25A, VGS = 10V (Figure 9) VDD = 30V, ID = 12.5A RL = 2.4Ω, VGS = 10V RGS = 10Ω (Figure 13) VDS = 25V, VGS = 0V f = 1MHz (Figure 12) Source to Drain Diode Specifications PARAMETER Source to Drain Diode Voltage Reverse Recovery Time SYMBOL VSD trr ISD = 25A ISD = 25A, dISD/dt = 100A/µs TEST CONDITIONS MIN TYP MAX 1.5 125 UNITS V ns ©2002 Fairchild Semiconductor Corporation RFP25N06, RF1S25N06, RF1S25N06SM Rev. C RFP25N06, RF1S25N06, RF1S25N06SM Typical Performance Curves 1.2 Unless Otherwise Specified 30 POWER DISSIPATION MULTIPLIER 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 0 25 50 75 100 125 TC , CASE TEMPERATURE (oC) 150 175 ID, DRAIN CURRENT (A) 25 20 15 10 5 0 25 50 75 100 125 TC, CASE TEMPERATURE (oC) 150 175 FIGURE 1. NORMALIZED POWER DISSIPATION vs CASE TEMPERATURE FIGURE 2. MAXIMUM CONTINUOUS DRAIN CURRENT vs CASE TEMPERATURE 2 1 THERMAL IMPEDANCE 0.5 0.2 0.1 0.1 0.05 0.02 0.01 SINGLE PULSE 0.01 10-5 t1 t2 NOTES: DUTY FACTOR: D = t1/t2 PEAK TJ = PDM x ZθJC x RθJC + TC 10-2 10-1 10-3 t1 , RECTANGULAR PULSE DURATION (s) 100 101 PDM ZθJC, NORMALIZED 10-4 FIGURE 3. NORMALIZED MAXIMUM TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE 200 100 ID, DRAIN CURRENT (A) TC = 25oC TJ = MAX RATED SINGLE PULSE IDM, PEAK CURRENT (A) VGS = 20V 200 FOR TEMPERATURES ABOVE 25oC DERATE PEAK CURRENT CAPABILITY AS FOLLOWS:  175 – T C I = I 25  ----------------------- 150   VGS = 10V 100 100µs 10 OPERATION IN THIS AREA MAY BE LIMITED BY rDS(ON) 1ms 10ms 100ms DC 1 10 VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V) 100 1 TRANSCONDUCTANCE MAY LIMIT CURRENT IN THIS REGION 10 -5 10 10-4 10-3 10-2 10-1 t, PULSE WIDTH (s) TC = 25oC 100 101 FIGURE 4. FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA FIGURE 5. PEAK CURRENT CAPABILITY ©2002 Fairchild Semiconductor Corporation RFP25N06, RF1S25N06, RF1S25N06SM Rev. C RFP25N06, RF1S25N06, RF1S25N06SM Typical Performance Curves 100 70 IAS, AVALANCHE CURRENT (A) 60 ID, DRAIN CURRENT (A) STARTING TJ = 25oC 50 40 30 VGS = 6V 20 10 10 0 VGS = 4.5V 0 2 4 6 VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V) PULSE DURATION = 80µs DUTY CYCLE = 0.5% MAX TC = 25oC VGS = 7V VGS = 20V VGS = 10V VGS = 8V Unless Otherwise Specified (Continued) 10 STARTING TJ = 150oC If R = 0 tAV = (L)(IAS)/(1.3*RATED BVDSS - VDD) If R ≠ 0 tAV = (L/R)ln[(IAS*R)/(1.3*RATED BVDSS-VDD) +1] 1 0.01 1 0.1 tAV, TIME IN AVALANCHE (µs) VGS = 5V 8 NOTE: Refer to Fairchild Application Notes AN9321 and AN9322. FIGURE 6. UNCLAMPED INDUCTIVE SWITCHING CAPABILITY FIGURE 7. SATURATION CHARACTERISTICS 70 60 ID, DRAIN CURRENT (A) 50 175oC 40 30 20 10 0 PULSE DURATION = 80µs DUTY CYCLE = 0.5% MAX NORMALIZED DRAIN TO SOURCE ON RESISTANCE 10 VDD = 15V -55oC 25oC 2.5 2.0 PULSE DURATION = 80µs DUTY CYCLE = 0.5% MAX VGS = 10V, ID = 25A 1.5 1.0 0.5 0 2 4 6 8 VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V) 0 -80 -40 0 40 80 120 160 TJ, JUNCTION TEMPERATURE (oC) 200 FIGURE 8. TRANSFER CHARACTERISTICS FIGURE 9. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE ON RESISTANCE vs JUNCTION TEMPERATURE 2.0 NORMALIZED DRAIN TO SOURCE VGS = VDS ID = 250µA NORMALIZED GATE THRESHOLD VOLTAGE 1.5 2.0 ID = 250µA BREAKDOWN VOLTAGE 1.5 1.0 1.0 0.5 0.5 0 -80 -40 0 40 80 120 160 TJ, JUNCTION TEMPERATURE (oC) 200 0 -80 -40 0 40 80 120 160 200 TJ , JUNCTION TEMPERATURE (oC) FIGURE 10. NORMALIZED GATE THRESHOLD VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE FIGURE 11. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE ©2002 Fairchild Semiconductor Corporation RFP25N06, RF1S25N06, RF1S25N06SM Rev. C RFP25N06, RF1S25N06, RF1S25N06SM Typical Performance Curves 1600 VGS = 0V, f = 1MHz CISS = CGS + CGD CRSS = CGD COSS = CDS + CGD Unless Otherwise Specified (Continued) 60 VDS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V) VDD = BVDSS 45 VDD = BVDSS 7.5 10 VGS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V) C, CAPACITANCE (pF) 1200 CISS 30 0.75 BVDSS 15 0.50 BVDSS 0.25 BVDSS RL = 2.4Ω Ig(REF) = 0.75mA VGS = 10V 0 20 -------------------I g ( ACT ) I g ( REF ) t, TIME (µs) 80 -------------------I g ( ACT ) I g ( REF ) 5.0 800 COSS 2.5 400 CRSS 0 0 0 5 10 15 20 VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V) 25 NOTE: Refer to Fairchild Application Notes AN7254 and AN7260. FIGURE 12. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE FIGURE 13. NORMALIZED SWITCHING WAVEFORMS FOR CONSTANT GATE CURRENT Test Circuits and Waveforms VDS BVDSS L VARY tP TO OBTAIN REQUIRED PEAK IAS VGS DUT tP RG IAS VDD tP VDS VDD + 0V IAS 0.01Ω 0 tAV FIGURE 14. UNCLAMPED ENERGY TEST CIRCUIT FIGURE 15. UNCLAMPED ENERGY WAVEFORMS tON VDS VDS VGS RL + tOFF td(OFF) tr tf 90% td(ON) 90% DUT RGS VGS - VDD 0 10% 90% 10% VGS 0 10% 50% PULSE WIDTH 50% FIGURE 16. SWITCHING TIME TEST CIRCUIT FIGURE 17. RESISTIVE SWITCHING WAVEFORMS ©2002 Fairchild Semiconductor Corporation RFP25N06, RF1S25N06, RF1S25N06SM Rev. C RFP25N06, RF1S25N06, RF1S25N06SM Test Circuits and Waveforms (Continued) VDS RL VDD VDS VGS = 20V VGS + Qg(TOT) Qg(10) VDD VGS VGS = 2V 0 Qg(TH) Ig(REF) 0 VGS = 10V DUT Ig(REF) FIGURE 18. GATE CHARGE TEST CIRCUIT FIGURE 19. GATE CHARGE WAVEFORM ©2002 Fairchild Semiconductor Corporation RFP25N06, RF1S25N06, RF1S25N06SM Rev. C RFP25N06, RF1S25N06, RF1S25N06SM PSPICE Electrical Model .SUBCKT RFP25N06 2 1 3 ; rev 8/19/94 CA 12 8 1.83e-9 CB 15 14 1.98e-9 CIN 6 8 9.7e-10 DPLCAP 5 LDRAIN RSCL1 RSCL2 + 51 5 ESCL 51 50 RDRAIN 16 VTO 6 + 21 MOS1 RIN CIN 8 RSOURCE 7 LSOURCE 3 SOURCE DBREAK DBODY 7 5 DBDMOD DBREAK 5 11 DBKMOD DPLCAP 10 5 DPLCAPMOD EBREAK 11 7 17 18 65.9 EDS 14 8 5 8 1 EGS 13 8 6 8 1 ESG 6 10 6 8 1 EVTO 20 6 18 8 1 IT 8 17 1 GATE 10 DRAIN 2 ESG + EVTO + 18 8 6 8 11 17 EBREAK 18 MOS2 + DBODY - LDRAIN 2 5 1e-9 LGATE 1 9 4.92e-9 LSOURCE 3 7 4.5e-9 1 LGATE 9 20 - RGATE MOS1 16 6 8 8 MOSMOD M = 0.99 MOS2 16 21 8 8 MOSMOD M = 0.01 RBREAK 17 18 RBKMOD 1 RDRA